IGBT器件 物理、设计与应用 IGBT之父、美国国家工程院院士B.Jayant Baliga教授经典著作,涵盖IGBT应用的首本著作
IGBT器件已被证明是一种非常重要的功率半导体器件,广泛应用于调速电机驱动器(用于空调、制冷和铁路机车)、以汽油为主要燃料的汽车电子点火系统和节能紧凑型荧光灯泡。近期的应用包括等离子显示器(平板电视)和电力传输系统、替代能源系统和储能。《IGBT器件 物理、设计与应用》是首本涵盖IGBT应用的著作,它提供了应用工程师在消费、工业、照明、交通、医疗和可再生能源等领域使用该器件设计新产品所必需的信息。 本书作者B.Jayant Baliga教授于1980年在通用电气公司工作期间发明了IGBT。本书将为新一代的工程应用开启IGBT之门,是广大电气工程师和设计工程师的读物,也是半导体专家的重要读物。 《IGBT器件 物理、设计与应用》主要特色如下: ? 1)提供了应用工程师在消费、工业、交通、照明、医疗和可再生能源等领域使用IGBT时所需的必要的设
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心脏病学实践:常见心血管疾病的评估与治疗 经典——更至第3版全面——理论兼实践翔实——实用工具书作用——诊治规范化
心血管疾病种类繁多,病因复杂,一直是临床诊疗的重点与难点,推动我国心脑血管疾病防治规范化仍然是临床工作的重中之重。因此,一部系统介绍心血管疾病相关症状,同时,汇集各类心脏疾病特点的临床工具书对广大心血管领域,乃至内科学领域医师都是十分有价值的。Ragavendra R. Baliga 和 Kim A. Eagle 两位主编在心血管疾病诊疗领域有着丰富的临床经验和深厚的学术造诣,与多位著名心血管专家联合编写本书并已更新至第 3 版。本书内容丰富、层次清楚,贴近临床实际,是一本不可多得的实用参考译著。相信本书的出版能够深化我国临床医师对心血管疾病的认知,提升心血管疾病诊疗规范化和合理化,进一步提高我国心血管疾病的整体诊疗水平。
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先进功率整流器原理、特性和应用 作者是该领域领军人物,本书既有机理介绍,又有模型分析
本书中讨论的所有功率整流器的电学特性都使用这些解析表达式进行了计算机计算,如每节中提供的典型示例所示。为了证实这些解析公式的有效性,本书的每一节都包含了二维数值模拟的结果。模拟结果还进一步阐明了物理机制,并指出相关的二维效应。 作者Baliga教授是国际上公认的功率半导体器件领域的领军人物,他还是肖特基与PN结混合理论的创始人,创造出了新一族功率整流器,被选为IEEE院士和美国国家工程院院士。
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【新华书店自营店】先进功率整流器原理、特性和应用,(美)B.贾扬·巴利加(B.JayantBaliga),9787111 全国五仓就近发货80%城市次日达!团购优惠咨询:18340637603
本书中讨论的所有功率整流器的电学特性都使用这些解析表达式进行了计算机计算,如每节中提供的典型示例所示。为了证实这些解析公式的有效性,本书的每一节都包含了二维数值模拟的结果。模拟结果还进一步阐明了物理机制,并指出相关的二维效应。作者Baliga教授是国际上公认的功率半导体器件领域的领军人物,他还是肖特基与PN结混合理论的创始人,创造出了新一族功率整流器,被选为IEEE院士和美国国家工程院院士。
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功率半导体器件基础 [美]巴利伽(Baliga,B.J.) 科学出版社,【正版现货】 正版图书,本店套装图书默认为单本,您下单前可咨询在线客服,谢谢!
(1)本书作者是功率半导体器件领域的国际著名专家,IGBT器件发明人之一。(2)本书结合作者多年的实践经验,不仅深入讨论了半导体功率器件的工作原理,而且采用计算机来验证物理模型,并讨论了实际复杂结构器件的优化设计。(3)各章都附有习题,便于读者深入掌握基本概念,可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
¥212.70定价:¥631.00 (3.38折)
宽禁带半导体功率器件 材料 物理 设计及应用+IGBT器件 物理 设计与应用 书籍 任选备注
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预订 Silicon Carbide Power Devices [ISBN:9789812566058] 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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预订 Principles and Practice of Colposcopy [ISBN:9780071446594 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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预订 Sglt-2 Inhibitors, an Issue of Heart Failure Clinics: Vol 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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预订 The Igbt Device: Physics, Design and Applications of the 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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宽禁带半导体功率器件 材料 物理 设计及应用 贾扬·巴利加 宽禁带半导体功率器件 SiC GaN 第三代半导体 机工社
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【正版】 心脏病学实践:常见心血管疾病的评估与治疗 [美]agavendra.Baliga,[美]KimA.Eagle著 团购咨询在线客服
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先进功率整流器原理、特性和应用 机械工业出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
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先进功率整流器原理、特性和应用 (美)B.贾扬·巴利加(B.Jayant Baliga) 著 关艳霞 等 译 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书中讨论的所有功率整流器的电学特性都使用这些解析表达式进行了计算机计算,如每节中提供的典型示例所示。为了证实这些解析公式的有效性,本书的每一节都包含了二维数值模拟的结果。模拟结果还进一步阐明了物理机制,并指出相关的二维效应。作者Baliga教授是国际上公认的功率半导体器件领域的领军人物,他还是肖特基与PN结混合理论的创始人,创造出了新一族功率整流器,被选为IEEE院士和美国国家工程院院士。
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先进功率整流器原理、特性和应用 机械工业出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书中讨论的所有功率整流器的电学特性都使用这些解析表达式进行了计算机计算,如每节中提供的典型示例所示。为了证实这些解析公式的有效性,本书的每一节都包含了二维数值模拟的结果。模拟结果还进一步阐明了物理机制,并指出相关的二维效应。作者Baliga教授是国际上公认的功率半导体器件领域的领军人物,他还是肖特基与PN结混合理论的创始人,创造出了新一族功率整流器,被选为IEEE院士和美国国家工程院院士。
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功率半导体器件基础 B.、Jayant、 【店主推荐,正版书放心购买,可开发票】
本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始,依次介绍了各类常用的功率半导体器件,采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式,辅助大量详实的图表数据,帮者全面透彻理解功率半导体器件的特性。
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先进功率整流器原理、特性和应用 [美]B.贾扬·巴利加 9787111643357 机械工业出版社官方正版功率整流器 物 作者是该领域领军人物,本书既有机理介绍,又有模型分析
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预订 Jaypee Gold Standard Mini Atlas Series: Colposcopy [ISBN: 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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预订 Fundamentals of Power Semiconductor Devices [ISBN:9783319 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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按需印刷DIAGNOSTIC AIDS IN DETECTING EARLY ENAMEL CARIES 预订,预计下单后2-3周左右发货!
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【正版】 心脏病学实践:常见心血管疾病的评估与治疗 [美]agavendra.Baliga,[美]KimA.Eagle著
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【预订】Advanced Power Rectifier Concepts 美国库房发货,通常付款后3-5周到货!
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海外直订Plants to the Rescue!: The Plants, Trees, and Fungi That
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按需印刷POR AUXILIARES DE DIAGN?STICO NA DETEC??O PRECOCE DE C?R 预订,预计下单后3-6周左右发货!
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先进功率整流器原理、特性和应用 (美)B. 贾扬·巴利加(B. Jayant Baliga)著 机械工业出版社
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先进功率整流器原理、特性和应用 9787111643357 [美]B.贾扬·巴利加(B.Jayant Baliga )
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硅外延生长技术 (美)贝利加(Baliga,B.Jayant)主编;任丙彦等译
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国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件:原理、特性和应用 B.Jayant Baliga 机械工业出版社 978
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【正版】 先进功率整流器原理、特性和应用 [美]巴利加(Baliga),关艳霞潘福 机械工业出版社 9787111643
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适读人群 :适合电力电子、微电子、功率器件、功率IC设计与制造领域的研究人员、技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书 IGBT器件已被证明是一种非常重要的功率半导体器件,广泛应用于调速电机驱动器(用于空调、制冷和铁路机车)、以汽油为主要燃料的汽车电子点火系统和节能紧凑型荧光灯泡。近期的应用包括等离子显示器(平板电视)和电力传输系统、替代能源系统和储能。《IGBT器件:物理、设计与应用》是首本涵盖IGBT应用的著作,它提供了应用工程师在消费、工业、照明、交通、医疗和可再生能源等领域使用该器件设计新产品所必需的信息。 本书作者B.Jayant Baliga教授于1980年在通用电气公司工作期间发明了IGBT。本书将为新一代的工程应用开启IGBT之门,是广大电气工程师和设计工程师的读物,也是半导体
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【预订】Modern Silicon Carbide Power Devices 9789811284274 国外库房发货,通常付款后3-5周到货!
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9789811284274 Author 作者 Baliga Format 版本 精装 Pages Number 页数 672页 Publisher 出版社 World Scientific Publishing Publication Date 出版日期 2023-09-21 Product Dimensions 商品尺寸 9.00 x 6.00 x 1.44 Shipping Weight 商品重量 2.34磅 Language 语种 其它(含多语) Book Contents 内容简介 Silicon Carbide power devices are being increasingly adopted for many applications such as electric vehicles and charging stations. There is a large demand for a resource to learn and understand the basic physics of operation of these devices to create engineers with in depth knowledge about them.This unique compendium provides a comprehensive design guide for Silicon Carbide power devices. It systematically describes the device structures and analytical models for computing their characteristics. The device structures included are the Schottky diode, JBS recti
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预订 高被引Advanced High Voltage Power Device Concepts [ISBN:9781 【全球购】进口原版图书,约5-8周到达国内后发出
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IGBT器件 机械工业出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
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预订 Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices 9789813 海外仓库发货,通常付款后4-9周到货!
图书信息 书号: 9789813109407 作者: B Jayant Baliga 装帧: 精装 页数: 592页 出版社: World Scientific Publishing Company 尺寸: 0.9 x 0.6 x 0.1 cm 出版日期: 2017-03-15 重量: 2g 语种: 其它(含多语) 内容简介 During the last 30 years, significant progress has been m
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硅外延生长技术,(美)贝利加(Baliga,B.Jayant)主编;任丙彦等译,河北科学技术出版社
¥648.00定价:¥1280 (5.07折)
【新华书店总店】宽禁带半导体功率器件——材料、物理、设计及应用 ,[美]贾扬·巴利加(B . Jayant Baliga 全国五仓就近发货85%城市次日达!团购优惠咨询:13284178503
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海外直订Advanced Power Mosfet Concepts 先进的功率场效应晶体管概念
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预订 Management of Heart Failure: Volume 1: Medical [ISBN:9781 【全球购】进口原版图书,约5-9周到达国内后发出
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【预订】Advanced High Voltage Power Device Concepts 978146140268 国外库房发货,通常付款后3-5周到货!
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9781461402688 Author 作者 Baliga Format 版本 精装 Pages Number 页数 568页 Publisher 出版社 Springer New York Publication Date 出版日期 2011-09-20 Shipping Weight 商品重量 1028g Language 语种 英语 Book Contents 内容简介 The devices described in “Advanced MOS-Gated Thyristor Concepts” are utilized in microelectronics production equipment, in power transmission equipment, and for very high power motor control in electric trains, steel-mills, etc. Advanced concepts that enable improving the performance of power thyristors are discussed here, along with devices with blocking voltage capabilities of 5,000-V, 10,000-V and 15,000-V. Throughout the book, analytical models are generated to allow a simple analysis of the structures and to obtain insight into the underlying physics. The results of two-dimensional simulations are provided to corroborate the analytica
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