高阶洛伦兹-高斯光束的研究

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周国泉 /2017-12-01 /科学出版社

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半导体激光器的远场光束特性对许多应用来说是至关重要的。描述半导体激光器所产生的远场光束原先采用的是高斯模型。尽管高斯分布适用于描述基模半导体激光器平行于结方向上的远场分布，但它不适合于表征垂直于结方向上的远场分布。因此，光学工作者们提出以洛伦兹光束来表征基模半导体激光器垂直于结方向上的远场分布。单模半导体激光束的聚焦实验研究表明，洛伦兹分布表征垂直于结方向上的远场分布确是一个很好的近似。而后理论上证实了洛伦兹-高斯光束的存在，洛伦兹光束是其一特例而已。洛伦兹-高斯光束的特性研究表明，洛伦兹-高斯光束仅适合于表征基模大角度激光束。而高功率的半导体激光器往往产生高阶模的大角度激光束。作者在浙江省和国家自然科学基金的资助下，构建了一类高阶洛伦兹-高斯光束模型的正交完备解，通过系统的研究

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周国泉 /2013-10-01 /科学出版社

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周国泉 /2013-10-01 /科学出版社

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2013-10-01 /科学出版社

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周国泉 /2013-10-01 /科学出版社

高阶洛伦兹-高斯光束的研究

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周国泉 /2013-10-01 /科学出版社