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《半导体制造工艺基础》介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术,其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。《半导体制造工艺基础》适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期,不要求必须开设相应的实验课。同时,本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史,并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术 扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤,包括各种薄层
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《半导体器件物理与工艺(第三版)》分三大部分 部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件,讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。
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《国外名校新教材精选 半导体器件物理(第3版)》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习的和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容,并做了更新和重新组织,反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展,它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件,如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》(第3版)专为研究生教材和参考所需设计,新版本包括 以新进展进行了全面更新 包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述 对内容进行了重新组织和安排 各章后面配备了习题 重新高质量地制作了书中的所有岔图。
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