¥29.00 - ¥0.29
CMOS 解读集成电路关键技术中的关键,一本书带你穿越CMOS的过去、现在和未来
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、先进接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥47.50定价:¥95.00 (5折)
【预订】Analytical Methods and Instruments for Micro- and Nanoma 国外库房发货,通常付款后3-5周到货!
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9783031264337 Author 作者 Henry H. Radamson Format 版本 精装 Pages Number 页数 282页 Publisher 出版社 Springer International Publishing Publication Date 出版日期 2023-09-10 Language 语种 其它(含多语) Book Contents 内容简介 This book describes analytical instruments widely used to characterize the nanostructured materials. It provides information about how to assess material quality, defects, the state of surfaces and interfaces, element distributions, strain, lattice distortion, and electro-optical properties of materials and devices. The information provided by this book can be used as a back-up for material processing, material design and debugging of device performance. The basic principles and methodology of each analysis technique is described in separate chapters, adding historic perspectives and recent developments. The data analysis, from simple to adva
¥1664
海外直订Silicon Nanodevices 硅Nanodevices
¥644.00
明星店铺 中华商务进口图书旗舰店
按需印刷Silicon Nanodevices 预订,预计下单后3-6周左右发货!
¥740.00
海外直订Analytical Methods and Instruments for Micro- And Nanoma
¥1882
明星店铺 中华商务进口图书旗舰店
CMOS 上海科学技术出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥67.40定价:¥95.00 (7.1折)
明星店铺 文轩网旗舰店
【新华书店自营】CMOS,9787547852316 全国五仓就近发货80%城市次日达!团购优惠咨询:18340637603
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥44.75定价:¥190.00 (2.36折)
CMOS 上海科学技术出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥56.10定价:¥95.00 (5.91折)
CMOS 上海科学技术出版社 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥56.80定价:¥95.00 (5.98折)
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9787547852316 Author 作者 (瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著 Format 版本 平装-胶订 Publisher 出版社 上海科学技术出版社 Publication Date 出版日期 2021-03-01 Product Dimensions 商品尺寸 16开 Language 语种 其它(含多语) Book Contents 内容简介 《CMOS的过去,现在和未来》提供了从基础知识到CMOS处理和电特性表征的近期新见解,包括基于IV组半导体的光子学的集成。本书探讨了在应变工程中在硅上使用异质外延技术以及硅平台上光子学和高迁移率通道的集成所带来的陷阱和机遇。它从基本定义和方程式开始,但一直延伸到当前的技术和挑战,创建了关于技术的起源及其到现在的发展以及对未来趋势的展望的路线图。 该书探讨了硅以外的材料所带来的挑战和机遇,包括对高k材料和金属
¥63.00定价:¥126.00 (5折)
【新华书店总店】CMOS ,(瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著,上海科学技术出版社 全国五仓就近发货85%城市次日达!团购优惠咨询:13284178503
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥52.24定价:¥190.00 (2.75折)
CMOS (瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著 著 赵超 译 新华书店正版,关注店铺成为会员可享店铺专属优惠,团购客户请咨询在线客服!
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥58.00定价:¥95.00 (6.11折)
CMOS (瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著 上海科学技术出版社 【出版集团正版书 全新正版书籍 正规电子发票 多仓就近发货
¥42.70定价:¥95.00 (4.5折)
【新华书店总店旗舰店】CMOS ,(瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著,上海科学技术 全国五仓就近发货85%城市次日达!团购优惠咨询:13284178503
本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍,讲解十分细致,对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密,由粗至细,循序渐进,降低了阅读难读,并且内容十分丰富,涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、优选接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
¥52.24定价:¥190.00 (2.75折)
CMOS (瑞典)亨利·H.拉达姆松(Henry H. Radamson)[著]著 上海科学技术出版社 【新华书店正版图
¥58.30定价:¥95.00 (6.14折)