IGBT器件 物理、设计与应用 IGBT之父、美国国家工程院院士B.Jayant Baliga教授经典著作，涵盖IGBT应用的首本著作
IGBT器件已被证明是一种非常重要的功率半导体器件，广泛应用于调速电机驱动器（用于空调、制冷和铁路机车）、以汽油为主要燃料的汽车电子点火系统和节能紧凑型荧光灯泡。近期的应用包括等离子显示器（平板电视）和电力传输系统、替代能源系统和储能。《IGBT器件 物理、设计与应用》是首本涵盖IGBT应用的著作，它提供了应用工程师在消费、工业、照明、交通、医疗和可再生能源等领域使用该器件设计新产品所必需的信息。 本书作者B.Jayant Baliga教授于1980年在通用电气公司工作期间发明了IGBT。本书将为新一代的工程应用开启IGBT之门，是广大电气工程师和设计工程师的读物，也是半导体专家的重要读物。 《IGBT器件 物理、设计与应用》主要特色如下： ? 1）提供了应用工程师在消费、工业、交通、照明、医疗和可再生能源等领域使用IGBT时所需的必要的设
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先进功率整流器原理、特性和应用 作者是该领域领军人物，本书既有机理介绍，又有模型分析
本书中讨论的所有功率整流器的电学特性都使用这些解析表达式进行了计算机计算，如每节中提供的典型示例所示。为了证实这些解析公式的有效性，本书的每一节都包含了二维数值模拟的结果。模拟结果还进一步阐明了物理机制，并指出相关的二维效应。 作者Baliga教授是国际上公认的功率半导体器件领域的领军人物，他还是肖特基与PN结混合理论的创始人，创造出了新一族功率整流器，被选为IEEE院士和美国国家工程院院士。
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国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础 [美]B.Jayant Baliga 著 科学出版社【可开电子发票】 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.JayantBaliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
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IGBT器件--物理设计与应用(电子科学与工程系列图书) [美]贾扬?巴利加（B.Jayant Baliga） 机械工业
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国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用 B.Jayant Baliga 机械工业出版社 978
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2020版 先进功率整流器原理 特性和应用 贾扬 巴利加 高性能功率开关器件 功率MOSFET和IGBT JBS TSB
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IGBT器件 (美)贾扬·巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韩雁 等 译 机械工业出版社 【新华书店正版图书 电子发票 正版保证 多仓就近发货
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国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用 [美]B.Jayant Baliga 著；于坤山 译【 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
《国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结
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国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用[美]B.Jayant Baliga 著；于坤山 译 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
《国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结
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国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）[美]B.Jayant Baliga 著科学出版社97870 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.JayantBaliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
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2020版 先进功率整流器原理 特性和应用 贾扬 巴利加 高性能功率开关器件 功率MOSFET和GBT JBS TSBS
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国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础 [美]B.Jayant Baliga 著 科学出版社 9787030 正版图书,下单速发,可开发票
《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》作者B.JayantBaliga是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《国外信息科学与技术优秀图书系列：功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
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《电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也
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《国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结
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IGBT器件 机械工业出版社 新华书店正版，关注店铺成为会员可享店铺专属优惠，团购客户请咨询在线客服！
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功率半导体器件基础B.、Jayant、Baliga（B.贾扬.巴利加） 著；韩郑生 译电子工业出版社9787121195 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书 首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率半导体器件，采用物理模型分析及数值模拟验证结 合的方式，辅助大量详实的图表数据，帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。
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官网正版 宽禁带半导体功率器件 材料 物理 设计及应用 贾扬 巴利加 碳化硅 场效应晶体管 碰撞电离系数 临界电场强度
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官网正版 宽禁带半导体功率器件 材料 物理 设计及应用 贾扬 巴利加 碳化硅 场效应晶体管 碰撞电离系数 临界电场强度
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官网正版 宽禁带半导体功率器件 材料 物理 设计及应用 贾扬 巴利加 碳化硅 场效应晶体管 碰撞电离系数 临界电场强度 正版图书 可开发票
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预订 Fundamentals of Power Semiconductor Devices [ISBN:9781489 【全球购】进口原版图书，约3-6周到达国内后发出
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【3-6周达】高被引Advanced High Voltage Power Device Concepts [ISBN: 【全球购】进口原版图书，预计3-6周左右到国内
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3-6周达 Advanced Power Rectifier Concepts [ISBN:9780387755885] 【全球购】进口原版图书，一般3-6周左右到国内后发出
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海外直订Advanced High Voltage Power Device Concepts 先进的高压电源设备概念
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海外直订Fundamentals of Power Semiconductor Devices 功率半导体器件基础
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3-6周达 高被引Advanced Power Mosfet Concepts [ISBN:9781441959164] 【全球购】进口原版图书，一般3-6周左右到国内后发出
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海外直订Advanced Power Rectifier Concepts 先进电源整流器概念
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3-6周达 Fundamentals of Power Semiconductor Devices [ISBN:9783 【全球购】进口原版图书，预计3-6周左右到国内
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海外直订Advanced Power Mosfet Concepts 先进的功率场效应晶体管概念
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预订 Silicon Carbide Power Devices [ISBN:9789813203235] 【全球购】进口原版图书，一般5-8周左右到国内
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预订 Silicon RF Power Mosfets [ISBN:9789812561213] 【全球购】进口原版图书，一般5-8周左右到国内
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【预订】The IGBT Device 9781455731435 美国库房发货，通常付款后3-5周到货！
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3-6周达 Advanced Power Mosfet Concepts [ISBN:9781489993878] 【全球购】进口原版图书，一般3-6周左右到国内后发出
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3-6周达 Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, P 【全球购】进口原版图书，预计3-6周左右到国内后发出
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【预订】Fundamentals of Power Semiconductor Devices 978148997765 国外库房发货，通常付款后3-5周到货！
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9781489977656 Author 作者 B. Jayant Baliga Format 版本 平装-胶订 Pages Number 页数 1069页 Publisher 出版社 Springer US Publication Date 出版日期 2016-08-23 Product Dimensions 商品尺寸 9.2 x 6.1 x 2.1 cm Shipping Weight 商品重量 1623g Language 语种 英语 Book Contents 内容简介 Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.
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海外直订Advanced Power Rectifier Concepts 先进的功率整流器概念
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【预订】Advanced Power Rectifier Concepts 9781441945389 国外库房发货，通常付款后3-5周到货！
Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9781441945389 Author 作者 B. Jayant Baliga Format 版本 平装-胶订 Pages Number 页数 352页 Publisher 出版社 Springer US Publication Date 出版日期 2010-11-05 Shipping Weight 商品重量 533g Language 语种 英语 Book Contents 内容简介 During the last decade, many new concepts have been proposed for improving the performance of power rectifiers and transistors. The results of this research are dispersed in the technical literature among journal articles and abstracts of conferences. Consequently, the information is not readily available to researchers and practicing engineers in the power device community. There is no cohesive treatment of the ideas to provide an assessment of the relative merits of the ideas. Advanced Power Rectifier Concepts provides an in-depth treatment of the physics of operation of advanced power rectifiers. Analytical models for explaining t
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【预订】Gallium Nitride And Silicon Carbide Power Devices 978981 美国库房发货，通常付款后3-5周到货！
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预订 Fundamentals of Power Semiconductor Devices [ISBN:9783319 【全球购】进口原版图书，预计3-6周左右到国内
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3-6周达 The Igbt Device: Physics, Design and Applications of t 【全球购】进口原版图书，预计3-6周左右到国内后发出
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