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正版 碳化硅功率器件 特性 测试和应用技术 高远 双脉冲 击穿电压 热阻抗 漏极电流 传感器 去耦电容 等效电路分析
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碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术 【速开发票，此书为单本而非一套，支持7天无理由退换】
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
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碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术 高远 陈桥梁 机械工业出版社 9787111681755
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碳化硅功率器件 特性、测试和应用技术,高远,陈桥梁编著,机械工业出版社
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一本介绍碳化硅器件与测试应用技术的专著。首先，注重搭建知识框架，不一味追求*新学术研究成果，而是选择能够实际应用的技术，切实解决SiC器件的应用问题。其次，书中使用大量篇幅对测试设备、测试方法进行了详细的讲解，帮助功率器件和电力电子研究者和工程师弥补测试技术这一短板。
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