CMOS集成电路闩锁效应 全彩大图剖析IC集成电路制造制程工艺可靠性设计ESD难题
本书主要介绍集成电路工艺制程技术的发展过程，集成电路工艺制造技术从*初的BJT工艺制造技术发展到CMOS工艺制造技术，同时器件也从*初的BJT发展的MOSFET。由于体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP会组成的电路，它在一定的条件下被触发而形成低阻通路，从而产生大电流，并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁，导致CMOS集成电路无法正常工作，甚至烧毁芯片，通常把该现象称为闩锁效应。 闩锁效应存在于体CMOS集成电路中，它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题，随着CMOS工艺技术的不断发展，工艺技术日趋先进，器件的特征尺寸越来越小，并且器件间的间距也越来越小，集成电路的器件密度越来越大，集成电路的闩锁效应变得越来越严重，特别是在IO电路中。
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集成电路制造工艺与工程应用 大量彩图详细阐述工艺步骤，业界专家集体推荐
温德通老师这本《集成电路制造工艺与工程应用》，从几年前开始编写时就与我进行了沟通，在看过初稿后，我对于他亲自绘制的数百幅工艺流程图印象深刻，并且深感佩服，这些图片在目前讲述集成电路工艺的教材中是看不到的，这也是我决定这本书一定要采用彩色印刷的原因。而且教材往往囿于知识体系的完整，不可能将具体的工艺流程如此详细地讲解，而我们在学习的时候，对于教材中所叙述的工艺流程总是限制在名词术语之间，而温老师得益于他十多年在企业中的工作经验，弥补了这些不足，为读者奉上了这本佳作。 作为同是微电子学专业的我，深知这样的书在编写上的难度，以及找寻愿意去写这样的书的作者有多难。本书的出现，相信一定会为集成电路领域做出很大的贡献！这个领域虽然小众，但是对于和传统教科书有所区别，具有鲜明特点和针对性
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《集成电路制造工艺与工程应用》以实际应用为出发点，对集成电路制造的主流工艺技术进行了逐一介绍，例如应变硅技术、HKMG技术、SOI技术和FinFET技术，然后从工艺整合的角度，通过图文对照的形式对典型工艺进行介绍，例如隔离技术的发展、硬掩膜版工艺技术、LDD工艺技术、Salicide工艺技术、ESD IMP工艺技术、AL和Cu金属互连。然后把这些工艺技术应用于实际工艺流程中，通过实例让读者能快速的掌握具体工艺技术的实际应用。 《集成电路制造工艺与工程应用》旨在向从事半导体行业的朋友介绍半导体工艺技术，给业内人士提供简单易懂并且与实际应用相结合的参考书。本书也可供微电子学与集成电路专业的学生和教师阅读参考。
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