从发明到专利——科学家和工程师指南 麻省理工学院(MIT)毕业,在IBM从事半导体开发工作25年,有260件发明专利,被授予IBM大师级发明家称号的沃尔德曼博士作品,享受发明、创新和专利旅程的开始
在全球技术和经济发展过程中,发明和专利持续成为重要议题。《从发明到专利 科学家和工程师指南》对如何成为一个多产的发明人、理解专利和专利过程勾勒了一幅清晰的画面。读者能从这本书中深入地洞察到如何从发明公开到成为专利,其中包括了从提交过程到*终文稿。本书向读者展示了该如何和专利律师、专利审查人员进行有效地交流,并对法律措辞进行了教学。 本书的独特之处在于包括了从早期的发明过程到*终文稿的成型,以提高技术专利的质量。 重点内容包括: 如何成为发明人,如何发明,什么是发明? 在撰写专利时如何撰写专利草案 发明专利、外观专利和植物专利的示例 如何准备技术背景部分,对于附图的简单列举,对于发明、权利要求和摘要附图的细节描述 使用专利检索引擎 撰写独立和从属权利要求 对于美国专利局和欧洲专利局审查意见
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ESD物理与器件 Steven H.Voldman 机械工业出版社【正版】 正版图书,下单前请先咨询客服,欢迎选购!
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图书信息 书号: 9780470016428 作者: Steven H Voldman 装帧: 精装 页数: 450页 出版社: Wiley 尺寸: 25.4 x 17.8 x 2.5 cm 出版日期: 2008-02-01 重量: 908g 语种: 其它(含多语)
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ESD设计与综合 (美)Steven H.Voldman 著 刘志伟 ,刘继芝 机械工业出版社【正版】 正版图书,下单前请先咨询客服,欢迎选购!
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过电应力 器件、电路与系统 (美)史蒂文 H.沃尔德曼(Steven H.Voldman 机械工业出版社【正版】 正版图书,下单前请先咨询客服,欢迎选购!
适读人群 :模拟及射频集成电路设计工程师,系统ESD工程师,EOS相关设计工程师,微电子科学与工程 由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小,过电应力(EOS)持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片,也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点,同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。 相关阅读: 《高压IGBT模块应用技术》 《高压断路器——理论、设计与试验方法》 《电压型PWM整流器的非线性控制(第2版)》 《电压源换流器在电力系统中的应用》 《高性能级联型多电平变
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