从发明到专利——科学家和工程师指南 麻省理工学院（MIT）毕业，在IBM从事半导体开发工作25年，有260件发明专利，被授予IBM大师级发明家称号的沃尔德曼博士作品，享受发明、创新和专利旅程的开始
在全球技术和经济发展过程中，发明和专利持续成为重要议题。《从发明到专利 科学家和工程师指南》对如何成为一个多产的发明人、理解专利和专利过程勾勒了一幅清晰的画面。读者能从这本书中深入地洞察到如何从发明公开到成为专利，其中包括了从提交过程到*终文稿。本书向读者展示了该如何和专利律师、专利审查人员进行有效地交流，并对法律措辞进行了教学。 本书的独特之处在于包括了从早期的发明过程到*终文稿的成型，以提高技术专利的质量。 重点内容包括： 如何成为发明人，如何发明，什么是发明？ 在撰写专利时如何撰写专利草案 发明专利、外观专利和植物专利的示例 如何准备技术背景部分，对于附图的简单列举，对于发明、权利要求和摘要附图的细节描述 使用专利检索引擎 撰写独立和从属权利要求 对于美国专利局和欧洲专利局审查意见
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![ESD物理与器件[美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译机械工业出版社978711147](images/model/guan/url_none.png)
ESD物理与器件[美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译机械工业出版社978711147 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
¥378.00定价：¥859.00 (4.41折)
ESD电路与器件 [美]沃尔德曼（Steven H.Voldman） 著；常昌远、钟锐 译 电子工业出版社【售后无忧】 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
本书译自美国史蒂文·H.沃尔德曼著《ESDCIRCUITSANDDEVICES》一书。本书系统地介绍了抗静电放电（ESD）电路设计和版图设计，并给出了大量实例。主要内容有：ESD中的基本概念及ESD的设计方法；采用MOS管和二极管的ESD设计的解析模型和实验结果；各种ESD电路网络及应用；ESD输入电路及ESD电源钳位网络等。 本书为作者的ESD系列专著的第二本，对于专业集成电路设计和系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可作为微电子学和集成电路设计专业高年级学生和研究生的参考书。
¥531.03定价：¥1150.06 (4.62折)
国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合 Steven H.Voldman 机械工业出版社 9787111427766
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ESD物理与器件 [美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译 机械工业出版社【正版书籍】 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
¥291.38定价：¥670.76 (4.35折)
国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合[美]Steven H.Voldman 著；刘志伟、刘继芝、雷鑑铭 译机械工业 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》是StevenH.Voldman博士所著的《ESDDesignandSynthesis》的中文翻译版。《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》的目的在于教会读者半导体芯片上ESD设计的“艺术”。全书的线索将按照如下顺序：版图布局、结构、电源轨及电源轨的ESD网络、ESD信号引脚解决方案、保护环还有一大批实现的实例。这条线索同其他已公开的大部分相关资料不同，但却更贴近实际团队在实现ESD设计过程中所采用的方法。除此之外，《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》还将为读者介绍当下处于热议的许多结构和概念。同时还将展示如DRAM、SRAM、图像处理芯片、微处理器、混合电压到混合信号应用，以及版图布局等实例。后，本书还将介绍其他资料中尚未讨论过的话题，包括电源总线结构、保护环、版图布局。
¥240.00定价：¥564.00 (4.26折)
ESD物理与器件 [美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译 9787111471394 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
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ESD物理与器件 [美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译 9787111471394 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
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ESD物理与器件 [美]Steven H. Voldman 著；雷鑑铭、邹志革、刘志伟 译 9787111471394 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计专业高年级本科生及研究生的参考书。
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从发明到专利-科学家和工程师指南(新时代·技术新未来)[美]史蒂文·H. 沃尔德曼（Steven H. Voldm【正版 全店支持开发票
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ESD物理与器件【正版书籍】 线上线下同步销售，请咨询客服查询库存后下单，避免纠纷。
机械工业出版社《ESD物理与器件》系统地介绍了静电放电（ESD）物理理论及器件设计，并给出了大量实例，将ESD理论工程化。本《ESD物理与器件》主要内容有：ESD中的静电及热电物理学理论及模型，ESD用半导体器件物理及结构，ESD中衬底、阱、隔离结构，电介质、互连及SOI等相关技术及应用。 《ESD物理与器件》为作者的ESD系列专著的一本，对于模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。本书可以作为电路设计、工艺、质量、可靠性和误差分析工程师的工具书，也可以作为电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计，尤其是模拟集成电路设计及射频集成电路设计高年级本科生及研究生的参考书。
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过电应力器件、电路与系统【放心购买】 线上线下同步销售，请咨询客服查询库存后下单，避免纠纷。
本书系统地介绍了过电应力（EOS）器件、电路与系统设计，并给出了大量实例，将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制，EOS电路与系统设计及EDA，半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。 本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来，本书是一本重要的参考书，同时也是面向现代技术问题有益的启示。 本书主要面向需要学习和参考EOS相关设计的工程师，或需要学习EOS相关知识的微电子科学与工程和集成电路设计高年级本科生和研究生。
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国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合 [美]Steven H.Voldman 著；刘志伟、刘继芝、雷鑑铭 译 机械 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
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ESD设计与综合 (美)Steven H.Voldman 著 刘志伟 ,刘继芝 机械工业出版社【正版书籍】 正版图书，下单前请先咨询客服，欢迎选购！
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ESD物理与器件【达额立减】 【正品保证，进入店铺更多优惠！】
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国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合 [美]Steven H.Voldman 著；刘志伟、刘继芝、雷鑑铭 译【速开 【正版】
《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》是StevenH.Voldman博士所著的《ESDDesignandSynthesis》的中文翻译版。《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》的目的在于教会读者半导体芯片上ESD设计的“艺术”。全书的线索将按照如下顺序：版图布局、结构、电源轨及电源轨的ESD网络、ESD信号引脚解决方案、保护环还有一大批实现的实例。这条线索同其他已公开的大部分相关资料不同，但却更贴近实际团队在实现ESD设计过程中所采用的方法。除此之外，《国际电气工程先进技术译丛：ESD设计与综合》还将为读者介绍当下处于热议的许多结构和概念。同时还将展示如DRAM、SRAM、图像处理芯片、微处理器、混合电压到混合信号应用，以及版图布局等实例。最后，本书还将介绍其他资料中尚未讨论过的话题，包括电源总线结构、保护环、版图布局。
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适读人群 ：模拟及射频集成电路设计工程师，系统ESD工程师，EOS相关设计工程师，微电子科学与工程 由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小，过电应力（EOS）持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片，也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点，同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。 相关阅读： 《高压IGBT模块应用技术》 《高压断路器——理论、设计与试验方法》 《电压型PWM整流器的非线性控制（第2版）》 《电压源换流器在电力系统中的应用》 《高性能级联型多电平变
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适读人群 ：模拟及射频集成电路设计工程师，系统ESD工程师，EOS相关设计工程师，微电子科学与工程 由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小，过电应力（EOS）持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片，也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点，同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。 相关阅读： 《高压IGBT模块应用技术》 《高压断路器——理论、设计与试验方法》 《电压型PWM整流器的非线性控制（第2版）》 《电压源换流器在电力系统中的应用》 《高性能级联型多电平变
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国外电子与嵌入式系统设计译丛：ESD揭秘:静电防护原理和典型应用 [美]Steven H. Voldman 著；来萍、恩 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
正是因为ESD技术存在于从微电子到纳米电子，所以ESD会影响半导体制造、半导体器件、电子系统等电子产业链的整个链条上任意一个环节。《国外电子与嵌入式系统设计译丛：ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》的内容涉及到ESD的基础，EOS、EMI、EMC以及Latchup等内容，为读者提供了一个ESD技术的全景视角——从半导体制造一直到电子系统的集成。通过一些特定技术，电路和芯片的案例启发读者对于ESD相关技术的脉络有一个整体的认识。本书覆盖的内容有：静电学基础，包括摩擦起电，以及它们是如何和日常的微电子设置纳米级半导体制造环境相关的。如何处理和检查半导体制造中工艺中的静电防护问题，避免由此带来的问题。ESD、EOS、EMI、EMC和latchup半导体器件和系统级测试，确保产品在各种模式下符合国际标准化组织的规范要求。片上和制造中解决ESD问题的一
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从发明到专利 科学家和工程师指南 企业专利战略管理书籍 美国专利文件组成如何撰写发明技术交底书专利申请流程 本店所有商品均为正版 请放心下单
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从发明到专利——科学家和工程师指南 [美]史蒂文·H. 沃尔德曼（Steven H. Voldman） 著；李文宇 何琳 【速开发票，此书为单本而非一套，支持7天无理由退换】
本书全面介绍了与专利相关的基本知识，系统论述了美国专利文件的各部分组成以及如何撰写发明的技术交底书。本书聚焦于怎样成为一名发明人和成为多产发明人的过程，教会读者如何有效地与专利律师和专利审查员沟通、如何理解和答复专利局发出的审查意见通知书。本书还讨论了企业产生专利的多种途径以及企业的专利战略，并进行了有关专利诉讼实践的讨论。 本书可作为知识产权专业师生或相关从业人员了解专利实用基本知识的参考用书，也可供技术研发工作者以及科研管理人员学习和培训使用。
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国外电子与嵌入式系统设计译丛：ESD揭秘:静电防护原理和典型应用【达额立减】 线上线下同步销售，请咨询客服查询库存后下单，避免纠纷。
正是因为ESD技术存在于从微电子到纳米电子，所以ESD会影响半导体制造、半导体器件、电子系统等电子产业链的整个链条上任意一个环节。《国外电子与嵌入式系统设计译丛：ESD揭秘：静电防护原理和典型应用》的内容涉及到ESD的基础，EOS、EMI、EMC以及Latchup等内容，为读者提供了一个ESD技术的全景视角从半导体制造一直到电子系统的集成。通过一些特定技术，电路和芯片的案例启发读者对于ESD相关技术的脉络有一个整体的认识。本书覆盖的内容有：静电学基础，包括摩擦起电，以及它们是如何和日常的微电子设置纳米级半导体制造环境相关的。如何处理和检查半导体制造中工艺中的静电防护问题，避免由此带来的问题。ESD、EOS、EMI、EMC和latchup半导体器件和系统级测试，确保产品在各种模式下符合标准化组织的规范要求。片上和制造中解决ESD问题的一些方案，
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从发明到专利-科学家和工程师指南(新时代·技术新未来)[美]史蒂文·H. 沃尔德曼（Steven H. Voldm
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适读人群 ：模拟及射频集成电路设计工程师，系统ESD工程师，EOS相关设计工程师，微电子科学与工程 由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小，过电应力（EOS）持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片，也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点，同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。 相关阅读： 《高压IGBT模块应用技术》 《高压断路器——理论、设计与试验方法》 《电压型PWM整流器的非线性控制（第2版）》 《电压源换流器在电力系统中的应用》 《高性能级联型多电平变
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过电应力器件、电路与系统 [美]史蒂文 H.沃尔德曼（Steven H.Voldman） 著；雷鑑铭 译 机械工业出版社 【速开发票，优质售后，支持7天无理由退换】
本书系统地介绍了过电应力（EOS）器件、电路与系统设计，并给出了大量实例，将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制，EOS电路与系统设计及EDA，半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。 本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师，以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来，本书是一本重要的参考书，同时也是面向现代技术问题有益的启示。 本书主要面向需要学习和参考EOS相关设计的工程师，或需要学习EOS相关知识的微电子科学与工程和集成电路设计专业高年级本科生和研究生。
¥272.41定价：¥632.82 (4.31折)
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国外电子与嵌入式系统设计译丛：ESD揭秘:静电防护原理和典型应用 Steven H. Voldman 机械工业出版社 9
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过电应力 器件、电路与系统 (美)史蒂文 H.沃尔德曼(Steven H.Voldman 机械工业出版社【可开电子发票】 正版图书，下单前请先咨询客服，欢迎选购！
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¥184.75定价：¥379.50 (4.87折)
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【正版】 从发明到专利 科学家和工程师指南 清华大学出版社 [美]史蒂文 新时代技术新未来 法律知识产权
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过电应力 器件、电路与系统【正版书籍，满额满减，咨询更优惠】 正版旧书，保证质量，此书为单本而非一套，电子发票！
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从发明到 科学家和工程师指南 [美]史蒂文·H. 沃尔德曼（Steven H. Voldman ） 著 ，李文宇 何琳琳
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适读人群 ：模拟及射频集成电路设计工程师，系统ESD工程师，EOS相关设计工程师，微电子科学与工程 由于工艺尺寸从微电子到纳电子等比例缩小，过电应力（EOS）持续影响着半导体制造、半导体器件和系统。本书介绍了EOS基础以及如何减缓EOS失效。本书提供EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理、EOS失效机制、EOS片上和系统设计等清晰图片，也提出关于制造工艺、片上集成和系统级EOS保护网络中EOS源等富有启发性的观点，同时给出特殊工艺、电路和芯片的实例。本书在内容上全面覆盖从片上设计与电子设计自动化到工厂级EOS项目管理的EOS生产制造问题。 相关阅读： 《高压IGBT模块应用技术》 《高压断路器——理论、设计与试验方法》 《电压型PWM整流器的非线性控制（第2版）》 《电压源换流器在电力系统中的应用》 《高性能级联型多电平变
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