宽禁带功率半导体封装 材料、元件和可靠性 菅沼克昭 宽禁带功率半导体最新的技术总结及发展趋势
第三代宽禁带功率半导体,是指以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的半导体,由于其高耐压、高电子迁移率、耐高温等特性,在许多场合体现出比上一代硅(Si)基半导体器件更大的优势。封装是器件运用(商用)必不可少的一环,尤其是封装的可靠性,对于集成电路(IC)的性能几乎起到了决定性作用,新型封装技术的能力制约着器件运用。研究封装,尤其在高温、高压、高频的场合,各种新型封装技术是宽禁带功率半导体器件应用推广的关键。本书是国外技术专家学者对第三代宽禁带功率半导体封装技术的一次总结,结合实际应用的理论分析和思路其实对于封装技术的推动和发展有着很好的借鉴作用。 通过阅读本书内容,可以快速建立起关于整个宽禁带功率半导体器件封装技术的全貌,理解封装的本质是一个多物理场耦合的结果,也是一个多学科交叉的综合体
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第三代宽禁带功率半导体,是指以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的半导体,由于其高耐压、高电子迁移率、耐高温等特性,在许多场合体现出比上一代硅(Si)基半导体器件更大的优势。封装是器件运用(商用)必不可少的一环,尤其是封装的可靠性,对于集成电路(IC)的性能几乎起到了决定性作用,新型封装技术的能力制约着器件运用。研究封装,尤其在高温、高压、高频的场合,各种新型封装技术是宽禁带功率半导体器件应用推广的关键。本书是国外技术专家学者对第三代宽禁带功率半导体封装技术的一次总结,结合实际应用的理论分析和思路其实对于封装技术的推动和发展有着很好的借鉴作用。 通过阅读本书内容,可以快速建立起关于整个宽禁带功率半导体器件封装技术的全貌,理解封装的本质是一个多物理场耦合的结果,也是一个多学科交叉的
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Product Details 基本信息 ISBN-13 书号 9780081020944 Author 作者 Suganuma, Katsuaki Format 版本 平装-胶订 Pages Number 页数 320页 Publication Date 出版日期 2018-06-11 Language 语种 英语
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宽禁带功率半导体封装——材料、元件和可靠性 (日)菅沼克昭 编 朱正宇,方幸泉,肖广源 译 机械工业出版社
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