叶志镇、吕建国、吕斌、张银珠编著的《半导体薄膜技术与物理（第2版）》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。*章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 本书文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 本书读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等
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